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Thin photoresistant films on cadmium sulpho-selenide - formed by controlled vapour deposition with copper as activator

机译:硒化镉镉薄膜-通过以铜为活化剂的受控气相沉积法形成

摘要

Thin photoresistant films are formed by simultaneous vapour deposition of the elements entering into the compsn. of the photoresistant layer, follow by heat treatment in air in situ. Specifically the compsn. of the layers in CdSxSe(1-x) with Cu as activator. The method is utilised in optoelectronics in mfr. of solid state amplifiers image modifiers, exposure meters, intensity controllers for numerical display devices, read strips for telecopiers, etc. The photo conduction ratio is improved.
机译:通过同时气相沉积进入组件的元素来形成薄光阻膜。然后在空气中原位进行热处理。特别是compsn。 Cu作为活化剂的CdSxSe(1-x)中的层数。该方法在mfr的光电子学中得到了利用。固态放大器的图像修改器,曝光计,用于数字显示设备的强度控制器,用于复印机的读取条等。提高了光导率。

著录项

  • 公开/公告号FR2490015B1

    专利类型

  • 公开/公告日1984-02-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MENN ROGER;

    申请/专利号FR19800019507

  • 发明设计人

    申请日1980-09-10

  • 分类号H01L31/18;C23C13/00;H01L31/08;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-22 08:45:48

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