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Sputtering method and apparatus utilizing improved ion source

机译:利用改进的离子源的溅射方法和装置

摘要

Method and apparatus for sputtering an element with a magnetron plasma source where a plasma is formed between two generator cathode surfaces of the source and a generator anode disposed adjacent the plasma ejects it toward the element to be sputtered. Various applications are described including selective coating of substrates of different electrical conductivity, substrate cleaning, ion milling, retrieval of expensive or dangerous coating materials, heating with little loss in the heat source, sputtering with reactive ions, sensitization or charge neutralization, and pumping of active gases.
机译:用磁控管等离子体源溅射元件的方法和设备,其中在源的两个发生器阴极表面和邻近等离子体的发生器阳极之间形成等离子体,该等离子体朝着要溅射的元件喷射。描述了各种应用,包括选择性涂覆具有不同电导率的基材,基材清洁,离子铣削,回收昂贵或危险的涂料,在热源中损失极少的加热,用反应离子溅射,敏化或电荷中和以及泵送活性气体。

著录项

  • 公开/公告号US4434038A

    专利类型

  • 公开/公告日1984-02-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 VAC-TEC SYSTEMS INC.;

    申请/专利号US19800187140

  • 发明设计人 CHARLES F. MORRISON JR.;

    申请日1980-09-15

  • 分类号C23C15/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 08:39:29

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