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In class ab amplifier integrated in cmos technology

机译:集成于CMOS技术的A类AB放大器

摘要

The invention relates to an amplifier integrated in cmos technology. / p & & p & this amplifier, working in class ab, comprises an output stage comprising a bipolar npn transistor t and an n channel mos transistor t is mounted in series in the manner of a stage "push - pull ". / p & & p & the npn transistor is controlled directly on its base by the signal to be amplified. The mos transistor t receives on its control gate of the output signal of an amplifier differential whose entrees are connected on the one hand, at the output s of the amplifier and on the other hand, the sender e of a bipolar transistor t, receiving on its base, the signal to be amplified. / p & & p & application: amplifiers integrated able to remove in particular on a load normalized of 600o.
机译:本发明涉及集成在CMOS技术中的放大器。 & &该放大器工作在ab级,包括一个输出级,该输出级包括一个双极npn晶体管t,一个n沟道mos晶体管t以“推挽”级的方式串联安装。 & & npn晶体管直接由要放大的信号控制其基极。 mos晶体管t在其控制栅极上接收放大器差分的输出信号,该差分的输入端一方面连接在放大器的输出s上,另一方面接收双极晶体管t的发送器e,并接收它的基础是要放大的信号。 & &应用:集成放大器,尤其是在600o的标准负载下能够消除的放大器。

著录项

  • 公开/公告号FR2493069B1

    专利类型

  • 公开/公告日1985-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 EFCIS;

    申请/专利号FR19800022662

  • 发明设计人

    申请日1980-10-23

  • 分类号H03F3/16;H03F3/26;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-22 07:56:15

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