首页> 外国专利> LEAKAGE CURRENTS' AND PARASITIC CAPACITIES' INFLUENCE ON MIS-STRUCTURE'S QUASI STATIC CAPACITY-STRESS CURVE REMOVING CONNECTION

LEAKAGE CURRENTS' AND PARASITIC CAPACITIES' INFLUENCE ON MIS-STRUCTURE'S QUASI STATIC CAPACITY-STRESS CURVE REMOVING CONNECTION

机译:泄漏电流和寄生电容对MIS结构准静态电容应力消除曲线连接的影响

摘要

机译:

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号