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MONOLITHICALLY INTEGRATED DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR LASER

机译:整体集成分布式布拉格反射器激光

摘要

ABSTRACTSEMICONDUCTOR LASERA semiconductor laser has distributed Braggreflectors (11,13) in the form of waveguides eachconsisting of a core layer (22,24) of polyimide orsilicon nitride and cladding layers (21,23,25) orSiOx (x-2). The waveguides are monolithically integratedwith the active medium (12). Alternatively the lasermay have one distributed Bragg reflector and oneordinary mirror. With the dielectric materials used inthe waveguides optical losses are reduced andtemperature stability improved compared with knowndistributed Bragg reflector lasers with semiconductorwaveguides.
机译:抽象半导体激光半导体激光器散布了布拉格每个波导形式的反射器(11,13)由聚酰亚胺的芯层(22,24)或氮化硅和覆层(21、23、25)或SiO x(x-2)。波导是单片集成的用活性介质(12)。另外,激光可能有一个分布式布拉格反射器和一个普通的镜子。与用于的介电材料减少了光损耗与已知相比,温度稳定性提高具有半导体的分布式布拉格反射器激光器波导。

著录项

  • 公开/公告号CA1210122A

    专利类型

  • 公开/公告日1986-08-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED;

    申请/专利号CA19830421520

  • 发明设计人 FURUYA KAZUHITO;

    申请日1983-02-14

  • 分类号H01S3/18;

  • 国家 CA

  • 入库时间 2022-08-22 07:37:05

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