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MIKROPLASTSTRUKTURER, FOERFARANDE FOER ATT BILDA SAODANA STRUKTURER OCH FOTOELEKTRISK MASK LAEMPLIG ATT ANVAENDAS I SAODANT FOERFARANDE.

机译:微塑性结构,形成苏达纳结构的程序和适用于此类产品的光电子面膜。

摘要

Microplastic structures, thermally stable up to at least 200 deg.C are produced by (a) coating a substrate with a photosensitive compsn. contg. 40-99.9 wt.% crosslinkable polymer and 0.1-60 wt.% photoacid generator, (b) exposing the coating through one or more photomasks to light, (c) heating to 70-120 deg.C to crosslink the exposed coating(s), and (d) removing portions of the coating with an aq. base soln. Pref. the microplastic structure is in the positive or negative mode and the coating is exposed to a near UV light source. The compsn. pref. contains (i) 3-50 wt.% aminoplast, 90-40 wt.% of reactive H-contg. cpd. and 2-30 wt.% photoacid generator sensitive to near UV light or (ii) 50-95 wt.% phenoplast, 40-3 wt.% HCHO generating cpd. and 2-30 wt.% photoacid generator sensitive to near UV light, (iii) 95.99.9 wt.% acid-hardening resin, 0.1-5 wt.% photoacid generator sensitive to deep UV light at an exposure dosage of 10Mj/sq.cm.
机译:通过(a)用光敏复合物涂覆基材来生产在高达至少200℃下热稳定的微塑性结构。续40-99.9 wt。%的可交联聚合物和0.1-60 wt。%的光酸产生剂,(b)通过一个或多个光掩模将涂料暴露于光下,(c)加热至70-120℃以使暴露的涂料交联),以及(d)用aq。碱溶液首选微塑性结构处于正或负模式,涂层暴露于近紫外光源。该compsn。偏好包含(i)3-50wt。%的氨基塑料,90-40wt。%的反应性H-contg。 cpd。以及对近紫外光敏感的2-30 wt%的光致产酸剂,或者(ii)50-95 wt%的质体,40-3 wt%的HCHO产生cpd。和2-30 wt。%的光酸产生剂,对近紫外光敏感;(iii)95.99.9 wt。%的酸硬化树脂,0.1-5 wt。%的光酸产生剂,对深UV光敏感,暴露剂量为10Mj / sq 。厘米。

著录项

  • 公开/公告号FI870105A0

    专利类型

  • 公开/公告日1987-01-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ROHM AND HAAS COMPANY;

    申请/专利号FI19870000105

  • 发明设计人 FEELY WAYNE EDMUND;

    申请日1987-01-12

  • 分类号G03F;

  • 国家 FI

  • 入库时间 2022-08-22 07:20:38

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