首页> 外国专利> METHOD OF PRODUCING OVER SEMICONDUCTOR SURFACES A LAYER OF BORON,PHOSPHORUS,ARSENIUM OR GALLIUM CONTAINING SILICIUM COMPOUNDS BEING IN NO WAY POTENTIAL SOURCES OF BORON,PHOSPHORUS,ARSENIUM OR GALLIUM FOR THEIR DIFFUSION

METHOD OF PRODUCING OVER SEMICONDUCTOR SURFACES A LAYER OF BORON,PHOSPHORUS,ARSENIUM OR GALLIUM CONTAINING SILICIUM COMPOUNDS BEING IN NO WAY POTENTIAL SOURCES OF BORON,PHOSPHORUS,ARSENIUM OR GALLIUM FOR THEIR DIFFUSION

机译:在半导体表面上生产含硼,磷,砷或镓的绝无可能扩散的硼,磷,砷或镓的潜在化合物的方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号PL138815B1

    专利类型

  • 公开/公告日1986-11-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号PL19830244619

  • 发明设计人

    申请日1983-11-15

  • 分类号C30B25/02;H01L21/205;

  • 国家 PL

  • 入库时间 2022-08-22 07:19:35

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号