11°<&lgr; <33°
7。度。 <&mgr; <24°
&ap; 0。因此,在基板主平面中离子注入中,由于抑制了沟道的发生,因此确保了多个区域中的杂质浓度基本均匀。
公开/公告号US4670968A
专利类型
公开/公告日1987-06-09
原文格式PDF
申请/专利权人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA;
申请/专利号US19850799109
申请日1985-11-18
分类号H01L21/263;
国家 US
入库时间 2022-08-22 07:09:13