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机译：极端零分析仪模式
公开/公告号JPS63221398A
专利类型
公开/公告日1988-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 NEC CORP;
申请/专利号JP19870057330
发明设计人 ICHIKAWA MASAKO;MITOME YUKIO;
申请日1987-03-11
分类号G10L11/00;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 07:06:43
机译： 经编机，具有在图案形成装置的零点和机座之间设置的热解耦元件，以及相对于图案形成装置沿着位移方向向零点可移动的导杆。
机译： 使用极紫外曝光掩模坯料的图案转印方法，极紫外曝光掩模，制造方法以及用于极紫外辐射曝光掩模的极紫外辐射曝光掩模
机译： 用于极端紫外线照射的面膜空白，用于极端紫外线照射的面膜，用于极端紫外线照射的面膜的制造方法以及使用用于极端紫外线照射的面膜的图案转移方法
