首页> 外国专利> Control of the hydrogen bonding in reactively sputtered amorphous silicon

Control of the hydrogen bonding in reactively sputtered amorphous silicon

机译:反应溅射非晶硅中氢键的控制

摘要

A reactively sputtered photoconductive amorphous silicon film having a controlled monohydride and polyhydride bond density is produced by applying a voltage bias to the film's substrate (14) during reactively sputtering a layer of amorphous silicon in a partial pressure of hydrogen.
机译:通过在氢的分压下对非晶硅层进行反应溅射的过程中,向膜的衬底(14)施加电压偏压,可以制得具有受控的一氢化物和多羟基化合物键合密度的反应溅射光导非晶硅膜。

著录项

  • 公开/公告号EP0031731B2

    专利类型

  • 公开/公告日1988-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 EXXON RESEARCH AND ENGINEERING COMPANY;

    申请/专利号EP19800304755

  • 发明设计人 MOUSTAKAS THEODORE DEMETRI;

    申请日1980-12-30

  • 分类号C01B33/02;C23C14/34;H01L31/18;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 06:56:07

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号