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Wide area source of multiply ionized atomic or molecular species

机译:广域来源的多电离原子或分子种类

摘要

Apparatus for generating multiply charged ions from a source of wide area for use in ion implantation is based upon electron beam plasma interactions which more efficiently create a large density of multiply ionized species than conventional plasma sources over a wide area (1-20 cm in diameter). The beam electrons are generated from a glow discharge electron gun operating in the abnormal glow discharge state. More multiply ionized species are created because of the larger number of electrons at high energy present in a beam created discharge as compared to conventional hollow cathode or thermionic cathode ion sources. By using a ring-shaped cold cathode beam electron generator it is possible to realize a wide area source 2-20 cm in diameter. This multiple ion source permits the realization of a fixed ion implantation energy using a lower electrostatic potential because multiply ionized species are accelerated rather than singly ionized species.
机译:用于从宽广范围的离子源中产生带电离子以用于离子注入的设备是基于电子束等离子体相互作用,与传统的等离子体源相比,该离子束在较宽的面积(直径1-20厘米)下更有效地产生了大密度的多电离物种。 )。束电子是由在异常辉光放电状态下工作的辉光放电电子枪产生的。与常规的空心阴极或热离子阴极离子源相比,由于在束产生的放电中以高能量存在的电子数量更多,因此产生了更多的离子化物种。通过使用环形冷阴极束电子发生器,可以实现直径为2-20cm的广域源。该多离子源允许使用较低的静电势来实现固定的离子注入能量,因为加速了多个离子化的物质,而不是单个离子化的物质。

著录项

  • 公开/公告号US4737688A

    专利类型

  • 公开/公告日1988-04-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 APPLIED ELECTRON CORPORATION;

    申请/专利号US19860888501

  • 发明设计人 GEORGE J. COLLINS;ZENG-GI YU;

    申请日1986-07-22

  • 分类号H05H1/02;H05H1/03;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 06:49:15

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