形成为构成第一形状记忆状态的最终形状和尺寸的物体经受热处理以便进行热处理。使该物体进入奥氏体结晶相,然后冷却。然后将物体在至少一个变形区中接受教育的过程,该过程包括以至少一个周期在物体上施加一系列热应力和/或机械应力。应力会导致物体变形,从而使物体在马氏体晶体学状态下接近其第二形状记忆状态,然后允许物体返回到其第一形状记忆状态。使对象恢复到奥氏体结晶状态。
应用于电接触元件。
公开/公告号US4753689A
专利类型
公开/公告日1988-06-28
原文格式PDF
申请/专利权人 SOURIAU & CIE;
申请/专利号US19860839181
申请日1986-03-13
分类号C22F1/08;
国家 US
入库时间 2022-08-22 06:48:58