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机译:硅底部隔离结构的圆底轮廓开挖方法
公开/公告号IT8883689D0
专利类型
公开/公告日1988-12-15
原文格式PDF
申请/专利权人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L.;
申请/专利号IT19880083689
发明设计人 NADIA IAZZI;PIERLUIGI CROTTI;
申请日1988-12-15
分类号H01L;
国家 IT
入库时间 2022-08-22 06:37:17
机译: 硅底部隔离结构的圆底轮廓开挖方法
机译: 在硅衬底中挖掘具有圆形底部的沟槽以制造沟槽隔离结构的方法