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NOVEL GALLIUM ARSENIDE PRECURSOR AND LOW TEMPERATURE METHOD OF PREPARING GALLIUM ARSENIDE THEREFROM

机译:新型砷化镓前驱物和低温制备砷化镓的方法

摘要

A novel gallium arsenide precursor has the formula R2GaAs(SiR')2 wherein R is selected from the group consisting of alkyl substituted cycloaliphatic group and alkyl substituted aromatic group and R' is alkyl. Preferably, R is pentamethylcyclopentadienyl and R' is methyl. The precursor is reacted with an alcohol, preferably ethanol or t-butanol at a temperature ranging from -20°C to 60°C, preferably at room temperature, under water-free conditions to form solid gallium arsenide and by-products which are liquid under the reaction conditions.
机译:一种新型的砷化镓前体具有式R 2 GaAs(SiR′)2,其中R选自烷基取代的脂环族基团和烷基取代的芳族基团,且R′为烷基。优选地,R是五甲基环戊二烯基,R'是甲基。在无水条件下,使前体与醇,优选乙醇或叔丁醇在-20℃至60℃,优选在室温下,在无水条件下反应,形成固体砷化镓和液体副产物。在反应条件下。

著录项

  • 公开/公告号WO8904316A1

    专利类型

  • 公开/公告日1989-05-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CORNELL RESEARCH FOUNDATION INC.;

    申请/专利号WO1988US03716

  • 发明设计人 THEOPOLD KLAUS H.;BYRNE ERIN K.;

    申请日1988-10-26

  • 分类号C07F9/70;C22C28/00;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-22 06:35:32

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