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Semiconductor laser device for the generation of a periodic refractive index distribution and/or periodic gain distribution

机译:用于产生周期性折射率分布和/或周期性增益分布的半导体激光装置

摘要

To reduce the longitudinal modes generated by a semiconductor laser a homogeneous optical grating integrated in the laser can be used. In principle these types of laser containing an optical grating to reduce the modes emit two longitudinal modes. The periodic semiconductor structure consisting of the layers 10 and 11 and constructed by connecting in series at least two semiconductor materials with energy gaps E1 and E2 and refractory indices n1 and n2 (E1 E2, n1 n2) can be operated as:… - a passive interference filter,… - an active, partly amplifying interference filter… - an optical narrow-band amplifier… - a single-mode laser emitting only a single mode. …IMAGE…
机译:为了减小由半导体激光器产生的纵向模式,可以使用集成在激光器中的均匀光栅。原则上,这些类型的包含光栅以减小模式的激光器发射两个纵向模式。周期性半导体结构由层10和11组成,并通过串联连接至少两种具有能隙E1和E2且折射率n1和n2(E1 n2)的半导体材料构成:无源干涉滤光片,…-有源,部分放大的干涉滤光片,…–光学窄带放大器,…–仅发射单模的单模激光器。 …<图像>…

著录项

  • 公开/公告号EP0333090A2

    专利类型

  • 公开/公告日1989-09-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT;ALCATEL N.V.;

    申请/专利号EP19890104385

  • 发明设计人 MOZER ALBRECHT DR.;

    申请日1989-03-13

  • 分类号H01S3/23;H01S3/19;H01S3/07;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-22 06:33:53

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