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METHOD FOR CONTROLLING THE INJECTION AND CONCENTRATION OF A SUPERSATURATION OF EXOTIC ATOMS DEEPLY INTO A SOLID MATERIAL

机译:控制超饱和原子直接注入固体材料中的浓度的方法

摘要

A method for controlling the injection of a supersaturation of exotic atoms (1) comprises previously preparing a parent material (2) with buried exotic phases (1) consisting of Ge or Si, irradiating the parent material (2) with electron beams (3), and forming injection regions of supersaturation of the exotic atoms (1) to control the concentration profile of the exotic atoms. The method can control the distribution of concentration of exotic atoms (1) by irradiating electron beams (3) of high energy.
机译:控制奇异原子的过饱和的注入的方法(1)包括预先制备具有由Ge或Si构成的埋入奇异相(1)的母体材料(2),并用电子束(3)辐照母体(2)。 ,并形成奇异原子(1)的过饱和注入区域,以控制奇异原子的浓度分布。该方法可以通过照射高能电子束(3)来控制外来原子(1)的浓度分布。

著录项

  • 公开/公告号DE3572845D1

    专利类型

  • 公开/公告日1989-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 OSAKA UNIVERSITY;

    申请/专利号DE19853572845T

  • 发明设计人 MORI HIROTARO;FUJITA HIROSHI;

    申请日1985-09-19

  • 分类号C23C10/28;C23C12/02;C23C8/10;C23C26/00;H01L21/263;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 06:31:30

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