通过在磁性薄膜4中沿着该壁建立预定的应力分布,以预定的方式将Bloch线定位在磁性壁中来获得Bloch线沿磁性壁8的传递。根据应力的分布以及垂直于薄膜平面施加的脉冲磁场,与应力分布的形成同步。 P>
应用领域:气泡记忆。 P>
公开/公告号FR2617629A1
专利类型
公开/公告日1989-01-06
原文格式PDF
申请/专利号FR19880008953
发明设计人 ONO TAKEO;TAKEO ONO;ODA HITOSHI;HITOSHI ODA;SAITO FUMIHIKO;FUMIHIKO SAITO;SHINMI AKIRA;AKIRA SHINMI;
申请日1988-07-01
分类号G11C11/14;
国家 FR
入库时间 2022-08-22 06:30:08