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机译:利用氮化膜制备选择性TiSi_2膜的方法
公开/公告号KR910005400A
专利类型
公开/公告日1991-03-30
原文格式PDF
申请/专利权人 문정환;
申请/专利号KR19890012486
发明设计人 나관구;
申请日1989-08-31
分类号H01L21/30;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 05:51:55
机译: 在薄膜氧化物上氮化物上各向异性地选择性刻蚀氮化物的方法
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