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机译:用于提高叠加精度的光刻工艺方法
公开/公告号KR910010635A
专利类型
公开/公告日1991-06-29
原文格式PDF
申请/专利权人 정몽헌;
申请/专利号KR19890017295
发明设计人 문승찬;
申请日1989-11-28
分类号H01L21/302;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 05:51:36
机译: 产生用于生产半导体器件的光刻工艺中的掩码失真数据的方法,使用该方法的曝光方法,以及使用相同方法制造半导体器件的方法,尤其是要改善失真测量的准确性
机译: 使用电子束光刻和电子束光刻系统提高斜线特征精度和生产量的方法