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Process for preparing terminal hydroxyphenyl ladder polysiloxane for semiconductor and high purity terminal hydroxyphenyl ladder polysiloxane

机译：用于半导体的端羟基苯基梯形聚硅氧烷和高纯度端羟基苯基梯形聚硅氧烷的制备方法

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公开/公告号KR910014434A

专利类型
公开/公告日1991-08-31

原文格式PDF
申请/专利权人 시기 모리야;
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申请/专利号KR19910000191
发明设计人 야마모토 시게유키;아다치 히로시;
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申请日1991-01-09
分类号C08G77/00;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 05:51:30

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