对于射频和微波测量时,端接以特性阻抗端接同轴电缆或波导,并包括一层沉积在单晶或红宝石晶体层上的金属。
在测量光功率时,端接“黑体”由与输入光纤邻接的黑体构成,该黑体与单晶或红宝石晶体层具有热交换关系。
公开/公告号US5032731A
专利类型
公开/公告日1991-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 ESLAB S.R.L.;
申请/专利号US19890451098
发明设计人 GIORGIO DALLOGLIO;
申请日1989-12-15
分类号G01K11/00;G01J3/443;
国家 US
入库时间 2022-08-22 05:46:13