首页> 外国专利> SiNx / a-Si interface formation method

SiNx / a-Si interface formation method

机译：SiNx / a-Si界面形成方法

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

No content.

机译：无内容。

著录项

公开/公告号KR920008839A

专利类型
公开/公告日1992-05-28

原文格式PDF
申请/专利权人 김정배;
展开▼

申请/专利号KR19900016602
发明设计人 윤기천;
展开▼

申请日1990-10-16
分类号H01L21/205;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 05:28:17

相似文献

专利
外文文献
中文文献

获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号