首页> 外国专利> METHOD FOR MAKING THIRD FILLMASS

METHOD FOR MAKING THIRD FILLMASS

机译:制作第三批产品的方法

摘要

the invention u043eu0442u043du043eu0441u0438u0442u0441u00a0 to sugar industry, in particular to u0443u0432u0430u0440u0438u0432u0430u043du0438u044e u0443u0442u0444u0435u043bu00a0 final crystallization. the invention u043fu043eu0437u0432u043eu043bu00a0u0435u0442 to more profound depletion of u043cu0435u0436u043au0440u0438u0441u0442u0430u043bu044cu043du043eu0433u043e solution and increase the output of sugar.method for preparation of the crystallization u043fu043eu043bu0443u0447u0435u043du0438u00a0 u0443u0442u0444u0435u043bu00a0 crystalline framework using u043eu0442u0442u0435u043au043eu0432 u0443u0442u0444u0435u043bu00a0 i by crystallization u0441u0433u0443u0449u0435u043du0438u00a0 u043eu0442u0442u0435u043au0430 vacuum apparatus to the u043fu0435u0440u0435u0441u044bu0449u0435u043du0438u00a0 1.25 - 1.30 and his u043eu0445u043bu0430u0436u0434u0435u043du0438u00a0 within 15 to 25 min before spontaneous u043eu0431u0440u0430u0437u043eu0432u0430u043du0438u00a0 crystals, u0443u0432u0430u0440u0438u0432u0430u043du0438u0435 at u0442u0444u0435u043bu00a0 with year - u043au0430u0447u043au043eu0439 u043eu0442u0442u0435u043au0430, selection of partsmixing it with u043eu0442u0442u0435u043au043eu043c u0443u0442u0444u0435u043bu00a0 i crystallization in the ratio of 1: (0.1 to 0.2) to the mixture in the second vacuum apparatus, and the building of two vacuum machines. 1, table 2).
机译:发明,特别是制糖业的发明,特别是制糖业的发明,尤其是制糖业的发明。 u0443 u0432 u0430 u0430 u0440 u0438 u0432 u0430 u043d u043d u0438 u044e u0443 u0442 u0442 u0444 u0435 u043b u00a0最终结晶。本发明 u043f u043e u0437 u0432 u043e u043b u00a0 u0435 u0442对 u043c u0435 u0436 u043a u0440 u0438 u0441 u0441 u0441 u0442 u0430 u043b u044c u043d u043e u0433 u043e溶液并增加糖的产量。用于制备结晶的方法 u043f u043e u043b u0443 u0447 u0435 u043d u043d u0438 u00a0 u0443 u0442 u0442 u0444 u0434 u0435 u043b u043b u00b0框架使用 u043e u0442 u0442 u0435 u043a u043e u0432 u0443 u0442 u0444 u0435 u043b u00a0 i通过结晶 u0441 u0433 u0443 u0449 u0435 u043d u043d u0438 u00a0 u0442 u0442 u0435 u043a u0430真空设备到 u043f u0435 u0440 u0435 u0441 u044b u0449 u0435 u043d u043d u0438 u00a0 1.25-1.30和他的 u043e u0445 u043b u0430 u0436 u0434 u0435 u043d u0438 u00a0在自发 u043e u0431 u0440 u0430 u0437 u043e u0432 u0430 u043d u0438 u00a0晶体, u0443 u0432 u0430 u0440 之前的15至25分钟内u0438 u0432 u0430 u043d u0438 u0435位于 u0442 u0444 u0435 u043b u00a0,年份为- u043a u0430 u0447 u 043a u043e u0439 u043e u0442 u0442 u0435 u043a u0430,选择将零件与 u043e u0442 u0442 u0435 u043a u043a u043e u043c u0443 u0442 u0444 u0435 u043b u00a0与第二个真空装置中的混合物以1:(0.1:0.2)的比例结晶,并建造了两个真空机。 1,表2)。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号