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机译:用化学气相沉积法制备Y1 Ba2 Cu3 O7-y高温超导金属薄膜的装置
公开/公告号KR930002443B1
专利类型
公开/公告日1993-03-30
原文格式PDF
申请/专利权人 KOREA ATOMIC ENERGY RESEARCH INSTITUTE;
申请/专利号KR19910004383
发明设计人 LEE HUI - KYUN;PARK SUN - DONG;KIM KI - BAEK;JANG IN - SUN;JANG IN - SUN;WON DONG - YON;
申请日1991-03-20
分类号C23C16/00;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 05:04:45
机译: Y1Ba2Cu3O7-y化学气相沉积法高温超导薄膜及其制造方法和装置
机译: 通过低温等离子体增强化学气相沉积生产薄膜的设备
机译: 使用旋转基座反应器通过低温等离子体增强化学气相沉积生产薄膜的方法和设备