机译:用于ASIC集成电路的植入式半导体电路,在具有单体电池的基板上使用放大器-隔离器-拥有平衡的p沟道和n沟道晶体管对,其馈线水平运行,而注入层连接则垂直运行。
公开/公告号FR2697109A1
专利类型
公开/公告日1994-04-22
原文格式PDF
申请/专利权人 FUJITSU LTD;
申请/专利号FR19930012493
申请日1993-10-20
分类号H01L23/525;H01L27/118;
国家 FR
入库时间 2022-08-22 04:33:43