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机译:硅含量非氧化物的养护形成及其生产方法。
公开/公告号JPH0712988B2
专利类型
公开/公告日1995-02-15
原文格式PDF
申请/专利权人 東燃株式会社;
申请/专利号JP19860182623
发明设计人 富沢 広隆;
申请日1986-08-05
分类号C04B41/87;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 04:26:58
机译: 氧化硅膜的形成方式及薄膜的生产方式
机译: 在硅衬底上的原子形成上,层状产物及其生产方式无效,具有受控的氧化物形成
机译: 官能有机化合物含量二氧化硅的生产方式无