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Magnetostatic microwave device having large impedance change at resonance

机译:谐振时阻抗变化大的静磁微波装置

摘要

A magnetostatic wave microwave device comprising a thin magnetostatic wave element and a conductor disposed on the top of said magnetostatic wave element. Because the width of an junction portion of the conductor is larger than the width of an input portion of the conductor, a large impedance change of the magnetostatic wave element at resonance can be obtained while maintaining a Q-value at a high level.
机译:一种静磁波微波装置,包括薄的静磁波元件和设置在所述静磁波元件顶部的导体。因为导体的结部的宽度大于导体的输入部的宽度,所以在将Q值保持在高水平的同时,可以获得静磁波元件在谐振时的大的阻抗变化。

著录项

  • 公开/公告号US5512868A

    专利类型

  • 公开/公告日1996-04-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HITACHI METALS LTD.;

    申请/专利号US19940314499

  • 发明设计人 SHIGERU TAKEDA;YASUHIDE MURAKAMI;

    申请日1994-09-28

  • 分类号H01P7/00;H01P1/218;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 03:38:38

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