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Process for producing a copper-indium-sulfur-selenium thin film and process for producing a copper-indium-sulfur-selenium chalcopyrite crystal

机译:铜铟硫硒薄膜的制造方法及铜铟硫硒黄铜矿晶体的制造方法

摘要

A process for producing a copper-indium-sulfur-selenium thin film which comprises subjecting an electro-conductive substrate to an electrodeposition treatment in the presence of copper sulfate, indium sulfate, selenium dioxide, and thiourea. A process for producing a chalcopyrite crystal which comprises subjecting an electro-conductive substrate to an electrodeposition treatment in the presence of copper sulfate, indium sulfate, selenium dioxide, and thiourea, and then conducting a heat treatment.
机译:一种生产铜-铟-硫-硒薄膜的方法,该方法包括在硫酸铜,硫酸铟,二氧化硒和硫脲的存在下对导电基材进行电沉积处理。一种制造黄铜矿晶体的方法,该方法包括在硫酸铜,硫酸铟,二氧化硒和硫脲的存在下对导电基底进行电沉积处理,然后进行热处理。

著录项

  • 公开/公告号DE19630321A1

    专利类型

  • 公开/公告日1997-01-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 YAZAKI CORP JP;

    申请/专利号DE19961030321

  • 申请日1996-07-26

  • 分类号C25D5/00;C25D5/50;C30B29/46;C30B30/02;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 03:14:44

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