半导体中的存储设备,包括给定操作模式下高速的数据输出。其特征在于,数据输出的每个路径包括串联: br />-电流的第一控制块对应于给定的地址信号; & br />-锁的第一块(40); & br />-转发器(42); & br->给出与控制信号相对应的电流的第二控制单元; & br />-第二个锁块(48);和& br /--数据的输出缓冲存储器(44)。 p>
公开/公告号FR2738660B1
专利类型
公开/公告日1998-09-18
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD;
申请/专利号FR19960011080
申请日1996-09-11
分类号G11C11/40;G11C7/00;
国家 FR
入库时间 2022-08-22 02:42:06