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机译:用于管中氧化物粉末法(OPIT)的高Tc超导体前体材料的生产方法。
公开/公告号GR3030620T3
专利类型
公开/公告日1999-10-29
原文格式PDF
申请/专利权人 HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT;
申请/专利号GR19990401705T
发明设计人 WEIS HELGA;BOCK JOACHIM DR.;NEUBACHER MARC DR.;LANG CHRISTOPH DR.;PREISLER EBERHARD DR.;
申请日1999-06-30
分类号C04B35/00;C04B35/653;H01L39/24;
国家 GR
入库时间 2022-08-22 02:27:23
机译: 用于管中氧化物粉末法(OPIT)的高Tc超导体前体材料的生产方法
机译: 制备高TC超导体作为管氧化物粉法(OPIT)的前体材料的方法