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Magnetostrictive Thin Film Silicon Micro Cantilevers

机译:磁致伸缩薄膜硅微悬臂

摘要

The following compositional formula for a silicon microstructure having a thickness of about 1 to 20 μm,;Sm x Fe y;[Where x and y are atomic%, 23 ≦ x ≦ 58, 42 ≦ y ≦ 77 (where x + y = 100)];or,;Sm x Fe y B z;[Where x, y, z are atomic%, 23 ≦ x ≦ 58, 42 ≦ y ≦ 77, and 0.4 ≦ z ≦ 0.7 (where x + y + z = 100)];As a magnetostrictive alloy thin film silicon micro cantilever coated with a large magnetostrictive alloy thin film made of a, the cantilever of the present invention has a large displacement even at a low magnetic field.
机译:厚度为约1至20μm的硅微结构的以下组成公式; Sm x Fe y ; [其中x和y为原子%,23≤x ≦58,42≦y≦77(其中x + y = 100)];或者,; Sm x Fe y B z ; [其中x,y,z为原子%,23≤x≤58,42≤y≤77,和0.4≤z≤0.7(其中x + y + z = 100)];作为磁致伸缩合金薄膜硅微悬臂涂层通过由a制成的大的磁致伸缩合金薄膜,即使在低磁场下,本发明的悬臂梁也具有大的位移。

著录项

  • 公开/公告号KR19990066594A

    专利类型

  • 公开/公告日1999-08-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 박원훈;

    申请/专利号KR19980002647

  • 申请日1998-01-31

  • 分类号C23C14/06;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 02:16:47

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