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Yb-doped crystal for a solid state laser and method of preparing the same

机译:用于固态激光器的掺yb的晶体及其制备方法

摘要

The present invention provides a Yb-doped crystal for a solid state laser, wherein a main active element of the Yb-doped crystal comprises Yb. sup.3 +. The Yb-doped crystal for a solid state laser is prepared by increasing a ratio of Yb.sup.3 + to Yb.sup.2 + in a Yb-doped material by a heat treatment to the Yb-doped material in an oxidizing atmosphere, and carrying out a crystal growth of the Yb-doped material.
机译:本发明提供一种用于固态激光器的掺杂Yb的晶体,其中所述掺杂Yb的晶体的主要活性元素包括Yb。 sup.3 +。通过在氧化气氛中通过热处理将Yb掺杂材料中的Yb.sup。3 +与Yb.sup。2 +的比例增加到Yb掺杂的材料来制备用于固体激光器的Yb掺杂的晶体。 ,并进行掺Yb材料的晶体生长。

著录项

  • 公开/公告号US5914975A

    专利类型

  • 公开/公告日1999-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NEC CORPORATION;

    申请/专利号US19970842771

  • 发明设计人 YASUHIKO KUWANO;

    申请日1997-04-17

  • 分类号H01J3/16;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 02:07:59

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