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Elimination of 90 and 180 phase errors in qam - receivers

机译:消除QAM中的90和180相位误差-接收机

摘要

The method includes the steps of coating a layer(10), to be patterned, with photoresist(PR), patterning the photoresist layer(PR) into a predetermined pattern using photolithography, anisotropic-etching the photoresist layer to form polymer(13) on the sides of the photoresist pattern, and etching the layer(10) using the photoresist pattern and polymer.
机译:该方法包括以下步骤:用光刻胶(PR)涂覆要被图案化的层(10),使用光刻将光刻胶层(PR)图案化为预定图案,各向异性蚀刻光刻胶层以在其上形成聚合物(13)。在光致抗蚀剂图案的侧面上,并使用光致抗蚀剂图案和聚合物蚀刻层(10)。

著录项

  • 公开/公告号DE69424823T2

    专利类型

  • 公开/公告日2000-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号DE1994624823T

  • 发明设计人 MIN BYONG-MIN;

    申请日1994-04-14

  • 分类号H04L27/38;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 01:40:33

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