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SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING CIRCUIT TO LATCH DATA ON DATA LINE OF DATA OUTPUT PATH AND DATA LATCH METHOD OF THE DEVICE

机译:具有将数据锁存到数据输出路径的数据线上的电路的半导体存储器以及该设备的数据锁存方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To latch data to a data output register without loosing previous data by using the data latch signal which releases the data latch on a data line in response to a first rising interval of clock signals and latches the data on the data line in response to a second rising interval of the clock signals. ;SOLUTION: A data line control circuit 30 of a semiconductor memory device 2 generates first data latch signals FRP to latch data on a first data line FDIOi in response to column selection disable signals PCSLP, column addresses CAi and internal clock signals PCLKi. Thus, the signals FRP are activated in an effective data interval on the line FDIOi. Therefore, no data are lost while latching the data on the data line FDIOi of the data output path connected to first and second data output registers 40 and 42.;COPYRIGHT: (C)2001,JPO
机译:解决的问题:通过使用数据锁存信号将数据锁存到数据输出寄存器而不丢失先前的数据,该数据锁存信号响应时钟信号的第一个上升间隔释放数据线上的数据锁存并将数据锁存到数据线上响应于时钟信号的第二上升间隔。解决方案:半导体存储器件2的数据线控制电路30响应于列选择禁止信号PCSLP,列地址CAi和内部时钟信号PCLKi而产生第一数据锁存信号FRP,以将数据锁存在第一数据线FDIOi上。因此,信号FRP在线路FDIOi上的有效数据间隔中被激活。因此,在将数据锁存在连接到第一和第二数据输出寄存器40和42的数据输出路径的数据线FDIOi上时,不会丢失任何数据。版权所有:(C)2001,JPO

著录项

  • 公开/公告号JP2001035168A

    专利类型

  • 公开/公告日2001-02-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD;

    申请/专利号JP20000189507

  • 发明设计人 KIN NANSHO;

    申请日2000-06-23

  • 分类号G11C11/409;G11C11/407;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 01:27:17

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