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CRITICAL DIMENSION CONTROL IN INTEGRATED CIRCUIT FABRICATION USING PLASMA ETCHING AND PLASMA POLYMERIZATION

机译:等离子体刻蚀和等离子体聚合在集成电路制造中的关键尺寸控制

摘要

Disclosed herein is a method of etching a first film layer or layers on a wafer. The method can prevent or control critical dimension (CD) microloading and can eliminate or minimize etch bias.
机译:本文公开了一种蚀刻晶片上的一个或多个第一膜层的方法。该方法可以防止或控制临界尺寸(CD)的微负载,并且可以消除或最小化蚀刻偏差。

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