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Method of controlling the switching DI/DT and DV/DT of a mos-gated power transistor

机译:控制门控功率晶体管的开关DI / DT和DV / DT的方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号GB0025680D0

    专利类型

  • 公开/公告日2000-12-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION;

    申请/专利号GB20000025680

  • 发明设计人 CLEMENTE STEFANO;

    申请日1997-10-21

  • 分类号G01R19/12;G01R31/26;H03K17/16;

  • 国家 GB

  • 入库时间 2022-08-22 01:06:46

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