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Mass production of silicon dioxide film by liquid phase deposition method

机译:液相沉积法批量生产二氧化硅薄膜

摘要

A liquid phase deposition method of mass producing substantially uniform silicon dioxide films on wafers by forming wafer sets from at least four wafers. The wafer sets are placed in a slotted polytetrafluroethylene polymer boat wherein a proper and short distance between the front surface of a wafer and another surface is created. Finally, a substantially uniform silicon dioxide film is deposited on the wafer surfaces by contacting the wafer sets with an aqueous supersaturated silicon dioxide solution comprising a mixture of hydrofluosilicic acid and boric acid.
机译:通过从至少四个晶片形成晶片组,在晶片上大量生产基本均匀的二氧化硅膜的液相沉积方法。将晶片组放置在开槽的聚四氟乙烯聚合物舟皿中,其中在晶片的前表面与另一个表面之间形成适当且短的距离。最后,通过使晶片组与包含氢氟硅酸和硼酸的混合物的过饱和二氧化硅水溶液接触,在晶片表面上沉积基本均匀的二氧化硅膜。

著录项

  • 公开/公告号US6197110B1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-03-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NATIONAL SCIENCE COUNSEL;

    申请/专利号US19990302119

  • 发明设计人 MING-KWEI LEE;BO-HSIUNG LEI;

    申请日1999-04-29

  • 分类号C30B190/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:04:57

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