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Thermoelectric semiconductor material, manufacture process therefor, and method of hot forging thermoelectric module using the same

机译:热电半导体材料,其制造工艺以及使用该材料的热锻热电模块的方法

摘要

A thermoelectric semiconductor material having sufficient strength and performance and high production yield. The thermoelectric semiconductor material is characterized in that a sintered powder material of a thermoelectric semiconductor having a rhombohedral structure (or hexagonal structure) is hot-forged and plastically deformed to direct either the crystals of the sintered powder structure or the subcrystals constructing the crystals in a crystal orientation having an excellent figure of merit.
机译:具有足够的强度和性能以及高产率的热电半导体材料。热电半导体材料的特征在于,具有菱形结构(或六边形结构)的热电半导体的烧结粉末材料被热锻并塑性变形,以引导该烧结粉末结构的晶体或在该晶体中构成该晶体的子晶体。晶体取向具有优异的品质因数。

著录项

  • 公开/公告号US6274802B1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-08-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KOMATSU LTD.;

    申请/专利号US19990254657

  • 申请日1999-03-15

  • 分类号H01L353/40;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:03:36

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