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Reticle for focus evaluation and focus evaluation method using the same

机译:用于焦点评估的掩模版和使用该掩模版的焦点评估方法

摘要

The pattern of a reticle having a fine pattern which is finer than the resolution of a stepper or a fine line pattern whose lines are separated from each other by distances shorter than the resolution of the stepper is transferred to various areas of the surface of a wafer, and the size of the pattern is measured. Consequently the best focusing position (in-focus wafer position) can be easily determined. IMAGE
机译:具有比步进器的分辨率更精细的精细图案的标线片的图案或线彼此间隔开比步进器的分辨率更短的距离的精细线图案的图案被转移到晶片表面的各个区域,然后测量图案的尺寸。因此,可以容易地确定最佳聚焦位置(聚焦晶片位置)。 <图像>

著录项

  • 公开/公告号JP3299758B2

    专利类型

  • 公开/公告日2002-07-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 沖電気工業株式会社;

    申请/专利号JP19950511588

  • 发明设计人 渡辺 明;

    申请日1994-10-12

  • 分类号H01L21/027;G03F1/08;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 01:00:10

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