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Cleaning method for copper dual damascene process

机译:铜双镶嵌工艺的清洗方法

摘要

A cleaning method for a copper dual damascene process, applicable for cleaning a structure having a dual damascene opening. The method begins with preparing a first chemical solution and a second chemical solution. The first chemical solution includes a deionized water, a hydrogen peroxide, and a surfactant, whereas the second chemical solution includes a deionized water, a hydrogen fluoride, and a hydrogen chloride. A first cleaning step is performed using the first chemical solution to remove particles and polymers that remain on a surface of a copper layer and the dual damascene opening. This is followed by performing a second cleaning step using the second chemical solution to remove a copper oxide layer on the copper layer.
机译:一种用于铜双金属镶嵌工艺的清洁方法,适用于清洁具有双金属镶嵌开口的结构。该方法开始于制备第一化学溶液和第二化学溶液。第一化学溶液包括去离子水,过氧化氢和表面活性剂,而第二化学溶液包括去离子水,氟化氢和氯化氢。使用第一化学溶液执行第一清洁步骤,以去除残留在铜层和双金属镶嵌开口表面上的颗粒和聚合物。随后执行使用第二化学溶液的第二清洁步骤以去除铜层上的氧化铜层。

著录项

  • 公开/公告号US6355568B1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-03-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 UNITED MICROELECTRONICS CORP.;

    申请/专利号US20000580041

  • 发明设计人 CHAN-LON YANG;SUNG-HSIUNG WANG;

    申请日2000-05-26

  • 分类号H01L213/02;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:49:57

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