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MOCVD precursors based on organometalloid ligands

机译：基于有机金属配体的MOCVD前体

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摘要

Chemical vapor deposition processes utilize as precursors volatile metal complexes with ligands containing metalloid elements silicon, germanium, tin or lead.

机译：化学气相沉积工艺将挥发性金属配合物与前体一起使用，所述配合物包含含有准金属元素的硅，锗，锡或铅。

著录项

公开/公告号US6359159B1

专利类型
公开/公告日2002-03-19

原文格式PDF
申请/专利权人 RESEARCH FOUNDATION OF STATE UNIVERSITY OF NEW YORK;
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申请/专利号US20000729115
发明设计人 ROLF CLAESSEN;JOHN T. WELCH;ANDREI KORNILOV;PAUL J. TOSCANO;KULBINDER KUMAR BANGER;
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申请日2000-12-04
分类号C07F70/20;C07F10/80;C07F11/00;C07F150/60;
国家 US
入库时间 2022-08-22 00:48:54

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