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ORGANOMETALLIC COMPLEX PROCESS FOR THE PREPARATION THEREOF AND METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION USING SAME

机译:制备有机物的复杂方法和使用相同方法制备金属有机化学气相沉积的方法

摘要

The present invention relates to an organometallic complex of Chemical Formula 1, a method for preparing the same, and an organometallic chemical vapor deposition method using the same. Since the organometallic complex of the present invention has high thermal stability and excellent vaporization properties even at low temperatures, the organometallic chemical vapor deposition method (MOCVD, metal organic chemical vapor deposition) can be used to efficiently produce a thin film.;(Wherein M, m, R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are as defined in the specification).
机译:本发明涉及化学式1的有机金属配合物,其制备方法以及使用其的有机金属化学气相沉积方法。由于本发明的有机金属配合物即使在低温下也具有高的热稳定性和优异的汽化性能,因此可以使用有机金属化学气相沉积法(MOCVD,金属有机化学气相沉积)有效地制备薄膜。 ,m,R 1 ,R 2 ,R 3 和R 4 如规范中所定义) 。

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