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Production of a chalcogenide halide of the ABC2 type comprises arranging metallic precursor layers, chalcogenizing with simultaneous optical process control, irradiating with light, and surface chalcogenizing to form the ABC2 phase

机译:ABC2型硫族化物卤化物的生产包括布置金属前驱物层,同时进行光学过程控制进行硫属元素化,照射光以及表面硫属元素化以形成ABC2相

摘要

Production of a chalcogenide halide of the ABC2 type comprises arranging metallic precursor layers of elements A and B; chalcogenizing with simultaneous optical process control; irradiating the layer succession AB with light from a coherent light source and surface chalcogenizing to form the ABC2 phase. Preferred Features: Precursor A is Cu or Ag. Precursor B is Ga or Al. Precursor C is S or Se.
机译:ABC2型硫属元素化物卤化物的生产包括排列元素A和B的金属前体层;以及将元素A和B的金属前体层排列。同时进行光学过程控制的硫属元素化;用来自相干光源的光照射层序列AB,并使表面硫族化以形成ABC2相。优选特征:前体A是Cu或Ag。前体B是Ga或Al。前体C为S或Se。

著录项

  • 公开/公告号DE10119463A1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-10-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH;

    申请/专利号DE20011019463

  • 发明设计人 SCHEER ROLAND;PIETZKER CHRISTIAN;

    申请日2001-04-12

  • 分类号H01L31/18;H01L31/0296;C23C16/52;C23C16/56;C30B25/10;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 00:26:57

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