首页> 外国专利> A method of manufacturing a field emission type cold cathode

A method of manufacturing a field emission type cold cathode

机译:一种场致发射型冷阴极的制造方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing field emission type cold cathodes with a large surface area, excellent evenness of field emission and reproducibility, and high field emission efficiency at high mass productivity. ;SOLUTION: A field emission type sharp cold cathode 18 with a large surface area is manufactured by following processes: forming a hole 12b in a metal substrate 11, forming a sharp recessed part 12 by narrowing the inner face of the hole 12b by oxidation or coating, filling the inside of the recessed part 12 with an emitter material layer 14, joining the emitter material layer 14 with a supporting substrate 17, and separating the metal substrate 11 from the emitter material layer 14.;COPYRIGHT: (C)1999,JPO
机译:解决的问题:提供一种用于制造具有大的表面积,优异的场发射均匀性和可再现性以及高生产率的场发射效率的场发射型冷阴极的方法。 ;解决方案:通过以下过程制造具有大表面积的场致发射型尖锐冷阴极18:在金属基板11上形成孔12b,通过氧化或通过使孔12b的内表面变窄而形成尖锐的凹陷部分12。涂覆,用发射极材料层14填充凹进部分12的内部,使发射极材料层14与支撑衬底17接合,并将金属衬底11与发射极材料层14分开;版权:(C)1999,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JP3419677B2

    专利类型

  • 公开/公告日2003-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社東芝;

    申请/专利号JP19980071072

  • 发明设计人 福田 勝義;中本 正幸;

    申请日1998-03-20

  • 分类号H01J9/02;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 00:21:15

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号