首页> 外国专利> MANUFACTURING METHOD OF ELECTRON EMISSION BODY, MANUFACTURING METHOD OF COLD-CATHODE FIELD ELECTRON EMISSION ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF COLD- CATHODE FIELD ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE

MANUFACTURING METHOD OF ELECTRON EMISSION BODY, MANUFACTURING METHOD OF COLD-CATHODE FIELD ELECTRON EMISSION ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF COLD- CATHODE FIELD ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE

机译:电子发射体的制造方法,冷阴极场电子发射元件的制造方法以及冷阴极场电子发射显示装置的制造方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a cold-cathode field electron emission element with a tip part oriented.;SOLUTION: This manufacturing method of a cold-cathode field electron emission element comprises: (a) a process for forming a complex layer 22 with a carbon nano-tube structure 20 embedded by a matrix 21 on a desired region of a cathode electrode 11 formed on a base 10; and (b) a process for obtaining an electron emission part 15 having the structure 20 embedded in the matrix 21 with the tip part projected by sticking a separation layer 24 to the surface of the complex layer 22 and thereafter mechanically peeling off the separation layer 24.;COPYRIGHT: (C)2003,JPO
机译:解决的问题:提供一种具有尖端部分定向的冷阴极场电子发射元件的制造方法。解决方案:该冷阴极场电子发射元件的制造方法包括:(a)形成阳极的方法。具有碳纳米管结构20的复合层22,该碳纳米管结构20被基体21嵌入在形成在基底10上的阴极电极11的期望区域上; (b)通过将分离层24粘贴在复合层22的表面上,然后机械地剥离分离层24,从而获得具有嵌入基体21中的结构20的电子发射部15的工序,该电子发射部的前端部突出。 。;版权:(C)2003,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JP2003168355A

    专利类型

  • 公开/公告日2003-06-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SONY CORP;

    申请/专利号JP20010366097

  • 发明设计人 YAGI TAKAO;SHIMAMURA TOSHIKI;

    申请日2001-11-30

  • 分类号H01J9/02;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 00:19:23

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号