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Radiation detector with semiconductor junction for measuring high rates of x radiation or gamma radiation dose

机译:带有半导体结的辐射探测器,用于测量高比率的x射线或伽马射线剂量

摘要

This invention relates to a radiation detector comprising at least one semiconducting junction capable of generating electron-hole pairs under the action of the detected radiation and connected in photovoltaic cell mode. The detector comprises means (8, 9, 10, 11, 12) for placing and maintaining the junction at an approximately constant temperature (TA). ;The invention is particularly applicable in the field of measuring gamma or X radiation dose rates that can reach high values.
机译:辐射探测器技术领域本发明涉及一种辐射探测器,其包括至少一个半导体结,该半导体结能够在所探测到的辐射的作用下产生电子-空穴对并且以光伏电池模式连接。该检测器包括用于将结放置和维持在大约恒定温度(TA)的装置( 8、9、10、11、12 )。 ;本发明特别适用于测量可以达到高值的γ或X辐射剂量率的领域。

著录项

  • 公开/公告号US2003168605A1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-09-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CHAMBAUD PASCAL;KAIS MIKAEL;

    申请/专利号US20030239376

  • 发明设计人 PASCAL CHAMBAUD;MIKAEL KAIS;

    申请日2003-04-29

  • 分类号G01T1/24;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:12:12

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