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Three-dimensional complete bandgap photonic crystal formed by crystal modification

机译:通过晶体修饰形成的三维完全带隙光子晶体

摘要

A method of forming a three-dimensional (3D) complete photonic bandgap crystal by crystal modification is disclosed. The 3D crystal includes a first periodic array of unit cells formed from first voids connected by imaginary bonds. The first periodic array forms an incomplete bandgap. The first voids may be formed in any one of a number of shapes, including spherical. The 3D crystal further includes a second periodic array of second voids. The second voids are arranged along the imaginary bonds so as to modify each unit cell. The modification of the unit cells is designed to form a complete photonic bandgap.
机译:公开了一种通过晶体修饰形成三维(3D)完全光子带隙晶体的方法。 3D晶体包括由通过虚键连接的第一空隙形成的晶胞的第一周期性阵列。第一周期阵列形成不完全的带隙。第一空隙可以形成为多种形状中的任何一种,包括球形。 3D晶体还包括第二空隙的第二周期性阵列。沿着虚键布置第二空隙,以修饰每个晶胞。晶胞的修饰被设计成形成完整的光子带隙。

著录项

  • 公开/公告号US2003131782A1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-07-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US20020053003

  • 发明设计人 JOSEPH E. GEUSIC;LEONARD FORBES;

    申请日2002-01-17

  • 分类号C30B1/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:11:01

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