首页> 外国专利> METHOD FOR UTILIZING ROUGH INSULATOR TO ENHANCE METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR RELIABILITY

METHOD FOR UTILIZING ROUGH INSULATOR TO ENHANCE METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR RELIABILITY

机译:利用粗绝缘子提高金属绝缘子-半导电子可靠性的方法

摘要

A method for utilizing a rough insulator to enhance metal-insulator-semiconductor reliability is provided. The method includes steps of: (a) providing a semiconductor substrate; (b) prebaking the semiconductor substrate under a relatively high vacuum to form a rough surface on the semiconductor substrate; and (c) growing an insulator on the semiconductor substrate to form a rough insulator and increase the metal-insulator-semiconductor reliability when the insulator is applied.
机译:提供了一种利用粗糙绝缘体来增强金属绝缘体-半导体可靠性的方法。该方法包括以下步骤:(a)提供半导体衬底; (b)在较高真空下预烘烤半导体衬底以在半导体衬底上形成粗糙表面; (c)在半导体衬底上生长绝缘体以形成粗糙的绝缘体,并在应用绝缘体时提高金属-绝缘体-半导体的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号US2003162409A1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-08-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY;

    申请/专利号US20020122572

  • 发明设计人 FON YUAN;CHEE-WEE LIU;CHUNG-HSUN LIN;

    申请日2002-04-15

  • 分类号H01L21/31;H01L21/469;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:09:06

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号