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机译:具有多模波导区域的单横模激光二极管及其制造方法
公开/公告号US2002181529A1
专利类型
公开/公告日2002-12-05
原文格式PDF
申请/专利权人 NEC CORPORATION;
申请/专利号US20020191577
发明设计人 KIICHI HAMANOTO;
申请日2002-07-10
分类号H01S5/00;
国家 US
入库时间 2022-08-22 00:08:18
机译: 具有多模波导区域的单横模激光二极管及其制造方法