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Mehrlagige Struktur, verwendet für Materialine mit hoher Permitivität

机译:多层结构,用于高介电常数的材料

摘要

Multilayer structure used as a material having high permittivity comprises a number of layers each of thickness less than 500 Angstroms. Some of the layers are based on aluminum, hafnium and oxygen, notably hafnium dioxide (HfO2) and alumina (Al2O3). Preferably, these layers comprise mixed oxides of formula HfxAlyOz whose stoichiometry varies from one layer to another. ??Preferred Features: The thickness of each layer is 1-200 Angstrom , preferably 1-100 Angstrom , and most preferably 1-50 Angstrom . The structure comprises at least five layers. At least one of the external layers is alumina (Al2O3). Each layer is deposited by atomic layer deposition (ALD).
机译:用作具有高介电常数的材料的多层结构包括多个层,每个层的厚度小于500埃。其中一些层基于铝,ha和氧,特别是二氧化((HfO2)和氧化铝(Al2O3)。优选地,这些层包含化学式为HfxAlyOz的混合氧化物,其化学计量从一层到另一层变化。优选特征:每层的厚度为1-200埃,优选为1-100埃,最优选为1-50埃。该结构包括至少五层。外层中的至少一层是氧化铝(Al 2 O 3)。通过原子层沉积(ALD)沉积每一层。

著录项

  • 公开/公告号EP1324378A1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MEMSCAP;

    申请/专利号EP20020102892

  • 发明设计人 GIRARDIE LIONEL;

    申请日2002-12-26

  • 分类号H01L21/316;C23C16/02;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 23:49:30

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